Waferlaserschneidemaschine
Produktvorteile:
Hohe Qualität
Es gibt keine Schäden an der Oberfläche, keine Schnittnaht, und der Kantenstoll ist sehr klein (weniger oder gleich 2 μm), die Kante ist klein (klein (kleiner (weniger als 2 μm) (ist klein (klein (weniger als oder gleich 2 μm) (die Kante ist gering (klein (kleiner als oder gleich), klein (klein (kleiner als oder gleich), ist klein (klein (klein (kleiner als oder gleich), die Kante ist klein (< 3 μ m)
Hohe Effizienz
Der Multi -Fokus -Modifikationsmodus kann eingesetzt werden, um die Schnitteffizienz zu multiplizieren
Gute Stabilität
Der Laser hat eine hohe durchschnittliche Leistungsstabilität (weniger oder gleich ± 3% über 24 Stunden) und hohe Strahlqualität (M ² <1,5)

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Artikel |
Hauptparametetrs |
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Laser |
Mittelwellenlänge |
Benutzerdefinierte Infrarotwellenlänge |
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Kopf schneiden |
Selbst entwickelter Kollimierungskopf | |
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Leistung |
Effektiver Arbeitsschlag |
300 x 400 mm (optional) |
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Wiederholte Positionierungsgenauigkeit |
±1μm |
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Visuelle Positionierung |
Automatische visuelle Positionierung |
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Verarbeitungsmethode |
Schicht für Schicht Upgrade, Einzelpunkt- / Mehrpunktverarbeitung | |
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Andere |
Wafergröße |
8 Zoll (12 Zoll ist kompatibel) |
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Verarbeitungsprozess |
Laser modifiziertes Schneiden - Filmverbreitung | |
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Verarbeitungsobjekt |
MEMS-Chip, Biochip auf Siliziumbasis, Siliziumweizenchip, CMOS-Chip usw. | |
Siliziumwaferwürfel:
Präzisionsabschneiden von 200 mm/300 mm Siliziumwafern für integrierte Schaltkreise (ICS)
Minimiert Chipping und Defekte während des Würfelsprozesses
MEMS -Geräteherstellung:
Ultra-Präzisions-Laserschreibungen für mikroelektromechanische Systeme (MEMS)
Geeignet für Dünnschichtsensoren und Aktuatoren
IC -Verpackung:
Genauige Würfel-Trennung für fortschrittliche Verpackungstechniken (Fan-Out, 3D-Stapel)
Solarzellenproduktion:
Kompatibel mit Silizium- und zusammengesetzten Halbleitermaterialien
Alleinstellungsmerkmale:
- Nichtkontaktabschneidung: Vermeidet mechanischer Stress und Kontamination
- Echtzeitüberwachung: KI-betriebenes System erkennt Defekte während der Verarbeitung
- Energieeffizienz: Niedriger Stromverbrauch im Vergleich zu herkömmlichen Schneidmethoden
- Anpassbare Parameter: Einstellbare Laserleistung und Impulsfrequenz



Produkt -FAQs:
F1: Wie hoch ist die maximale Wafergröße, die dieser Laserschneider für Halbleiteranwendungen verarbeiten kann?
A: Unser Ausrüstung unterstützt Wafer bis zu 300 mm x 300 mm und ist so ideal für die Produktion von IC- und MEMS.
F2: Wie minimiert der Laserschnitt die thermischen Schäden an Siliziumwafern?
A: Wir verwenden einen 1064nm-Faserlaser mit präziser Impulsregelung und Echtzeit-Temperaturüberwachung, um eine Wärmezone (HAZ) von weniger als 1 μm zu gewährleisten, wodurch die Waferintegrität geschützt wird.
F3: Ist die Geräte mit Reinraumumgebungen in Halbleiter Fabs kompatibel?
A: Ja! Unsere Maschinen erfüllen ISO Class 1000 Cleanroom Standards und verfügen über kontaminationsresistente Designs für die IC-Verpackung und MEMS-Herstellung.
F4: Kann das Wafer-Laser-Schneidsystem nicht-Siliziummaterialien wie Gaas oder Quarz verarbeiten?
A: Absolut. Das System ist mit Silizium, Quarz, Glas und GaAs kompatibel und unterstützt verschiedene Anwendungen in der Photonik und der Herstellung von zusammengesetzten Halbleitern.
F5: Was ist der typische Durchsatz für Hochvolumefilten?
A:Mit unseremautomatisiertes Ausrichtungssystem, die Maschine erreicht bis zu500 Wafer/Stunde(Variiert je nach Musterkomplexität) und gewährleisten eine effiziente Produktion für Halbleiterfabriken.
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