Waferlaserschneidemaschine
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Waferlaserschneidemaschine

Wafer-Laserschneidemaschine wird zur Lasermodifikation und zum Schneiden von Wafern auf Siliziumbasis in der Halbleiterindustrie für 8- Zoll und über den Chip-Versiegelungs- und Testpflanzen verwendet.
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Produkteinführung

Produktvorteile:

Hohe Qualität

Es gibt keine Schäden an der Oberfläche, keine Schnittnaht, und der Kantenstoll ist sehr klein (weniger oder gleich 2 μm), die Kante ist klein (klein (kleiner (weniger als 2 μm) (ist klein (klein (weniger als oder gleich 2 μm) (die Kante ist gering (klein (kleiner als oder gleich), klein (klein (kleiner als oder gleich), ist klein (klein (klein (kleiner als oder gleich), die Kante ist klein (< 3 μ m)

Hohe Effizienz

Der Multi -Fokus -Modifikationsmodus kann eingesetzt werden, um die Schnitteffizienz zu multiplizieren

Gute Stabilität

Der Laser hat eine hohe durchschnittliche Leistungsstabilität (weniger oder gleich ± 3% über 24 Stunden) und hohe Strahlqualität (M ² <1,5)

Wafer Cutting machine

Artikel

Hauptparametetrs

Laser

Mittelwellenlänge

Benutzerdefinierte Infrarotwellenlänge

Kopf schneiden

Selbst entwickelter Kollimierungskopf

Leistung

Effektiver Arbeitsschlag

300 x 400 mm (optional)

Wiederholte Positionierungsgenauigkeit

±1μm

Visuelle Positionierung

Automatische visuelle Positionierung

Verarbeitungsmethode

Schicht für Schicht Upgrade, Einzelpunkt- / Mehrpunktverarbeitung

Andere

Wafergröße

8 Zoll (12 Zoll ist kompatibel)

Verarbeitungsprozess

Laser modifiziertes Schneiden - Filmverbreitung

Verarbeitungsobjekt

MEMS-Chip, Biochip auf Siliziumbasis, Siliziumweizenchip, CMOS-Chip usw.

 

​Siliziumwaferwürfel:

Präzisionsabschneiden von 200 mm/300 mm Siliziumwafern für integrierte Schaltkreise (ICS)

Minimiert Chipping und Defekte während des Würfelsprozesses

​MEMS -Geräteherstellung:

Ultra-Präzisions-Laserschreibungen für mikroelektromechanische Systeme (MEMS)

Geeignet für Dünnschichtsensoren und Aktuatoren

​IC -Verpackung:

Genauige Würfel-Trennung für fortschrittliche Verpackungstechniken (Fan-Out, 3D-Stapel)

​Solarzellenproduktion:

Kompatibel mit Silizium- und zusammengesetzten Halbleitermaterialien

 

Alleinstellungsmerkmale:

  • Nichtkontaktabschneidung: Vermeidet mechanischer Stress und Kontamination
  • Echtzeitüberwachung: KI-betriebenes System erkennt Defekte während der Verarbeitung
  • Energieeffizienz: Niedriger Stromverbrauch im Vergleich zu herkömmlichen Schneidmethoden
  • Anpassbare Parameter: Einstellbare Laserleistung und Impulsfrequenz

sample

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wafer sample

Produkt -FAQs:

 

F1: Wie hoch ist die maximale Wafergröße, die dieser Laserschneider für Halbleiteranwendungen verarbeiten kann?

A: Unser Ausrüstung unterstützt Wafer bis zu 300 mm x 300 mm und ist so ideal für die Produktion von IC- und MEMS.

 

F2: Wie minimiert der Laserschnitt die thermischen Schäden an Siliziumwafern?

A: Wir verwenden einen 1064nm-Faserlaser mit präziser Impulsregelung und Echtzeit-Temperaturüberwachung, um eine Wärmezone (HAZ) von weniger als 1 μm zu gewährleisten, wodurch die Waferintegrität geschützt wird.

 

F3: Ist die Geräte mit Reinraumumgebungen in Halbleiter Fabs kompatibel?

A: Ja! Unsere Maschinen erfüllen ISO Class 1000 Cleanroom Standards und verfügen über kontaminationsresistente Designs für die IC-Verpackung und MEMS-Herstellung.

 

F4: Kann das Wafer-Laser-Schneidsystem nicht-Siliziummaterialien wie Gaas oder Quarz verarbeiten?

A: Absolut. Das System ist mit Silizium, Quarz, Glas und GaAs kompatibel und unterstützt verschiedene Anwendungen in der Photonik und der Herstellung von zusammengesetzten Halbleitern.

 

F5: Was ist der typische Durchsatz für Hochvolumefilten?​
A:Mit unseremautomatisiertes Ausrichtungssystem, die Maschine erreicht bis zu
500 Wafer/Stunde
(Variiert je nach Musterkomplexität) und gewährleisten eine effiziente Produktion für Halbleiterfabriken.

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